반도체 보너스3 Low-K의 모든 것(Low-K 밸류체인, 스택VS트렌치)

[함께배우기] 36일차, 반도체 보너스3 Low-K의 모든 것(Low-K 밸류체인, 스택VS트렌치) - YouTube

 

디램은 게이트에 전압을 인가하면 소스에서 드레인으로 전하가 이동해 커패시터에 이 전하들이 저장됨.
커패시터 성능은 전하의 저장량과 관계가 있음. 
 
낸드는 커패시터가 없음. 게이트에 전압을 인가하면 Bottom 게이트에 전하가 저장됨.
 

스택 방식과 트렌치 방식이 경쟁을 했으나 스택 방식이 이김. (난이도가 스택 방식이 더 쉬웠기 때문)
 

소스와 드레인 사이에는 전하가 이동해야 하는데, High-K를 사용하면 전하가 이동에 방해를 받음.
이곳에는 Low-K 소재를 사용해야 함. (Low-K 물질 증착은 CVD 방식으로 함)
 
Low-K 소재를 하는 회사는 일본의 아데카와, 디엔에프,
HCDS는 덕산테코피아 유명함. 낸드쪽에도 쓰임. 
 

소스와 드레인 사이 채널 형성 부분에 low-K를 사용하는 이유는  커패시터와 같은 현상이 적게 일어나게 하기 위함.  (공유) 반도체 공부 - 프리커서, 전구체, .. : 네이버블로그 (naver.com)

 

원래 반도체 위에는 메탈로 연결되어 있음. 왜냐하면 전하를 인가해 줘야 하니까. 
그런데 각각의 메탈끼리 서로 반응하면 안됨. 미세화가 진행되면 될수록 메탈 사이의 간격은 줄어들고, 문제가 생각 가능성이 커짐. 그래서 Low-K 소재로 절연을 해줘야 함.
 

3D 낸드로 적층할 때 임시로 기둥을 만들어줘야 하는데 이때 Low-K 물질을 이용.
이것을 잘하는 회사가 덕산테코피아(??)
 

#Low-K 밸류체인