전도체 식각

전도체 식각은 반도체 제조 공정에서 설명하신 대로 진행됩니다. 먼저, 웨이퍼에 금속과 같은 도체 물질을 증착합니다. 그런 다음, 포토리소그래피 공정을 통해 필요한 회로 패턴을 형성합니다. 이 패턴을 기준으로, 필요하지 않은 금속 부분을 제거하여 원하는 회로 배선만 남기게 됩니다. 이 과정을 통해 반도체 칩의 전기적 연결이 정확하게 형성됩니다.

 

전도체 식각 과정은 반도체 제조에서 전기적 연결을 형성하기 위해 불필요한 금속 부분을 제거하는 중요한 단계입니다. 이 과정은 다음과 같은 순서로 진행됩니다:

1. 금속 증착: 먼저, 웨이퍼 표면에 금속층을 증착합니다. 이 금속층은 나중에 전기적 연결을 형성하는 데 사용됩니다. 일반적으로 구리나 알루미늄과 같은 금속이 사용됩니다.

 

2. 포토리소그래피: 웨이퍼에 포토레지스트라는 감광성 물질을 도포하고, 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 빛을 사용하여 노광합니다. 이를 통해 포토레지스트에 회로 패턴이 형성됩니다.

 

3. 현상: 노광된 포토레지스트를 현상하여, 원하는 회로 패턴 이외의 포토레지스트를 제거합니다. 이 과정으로 금속층 위에 포토레지스트 패턴이 남게 됩니다.

 

4. 식각: 포토레지스트로 보호되지 않은 금속 부분을 제거합니다. 이때 건식 식각이나 습식 식각 방법을 사용할 수 있습니다. 건식 식각은 플라즈마를 사용하여 금속을 제거하는 방법이며, 높은 정밀도를 제공합니다.

 

5. 포토레지스트 제거: 마지막으로, 남아 있는 포토레지스트를 제거하여, 원하는 금속 패턴만 남도록 합니다. 이를 통해 반도체 칩의 전기적 연결이 완성됩니다.

 

[반도체 전공정 4편] 그려진 패턴을 파내는 ‘식각 공정’ (4/6) (skhynix.co.kr)

[반도체 전공정 4편] 그려진 패턴을 파내는 ‘식각 공정’ (4/6)

 

전도체 식각은 반도체 제조 공정에서 금속과 같은 전도성 물질을 제거하여 원하는 전기적 연결 패턴을 형성하는 과정입니다. 전도체 식각에서 주로 식각되는 물질은 다음과 같습니다:

 

1. 알루미늄(Al): 전통적으로 반도체 칩의 배선 재료로 많이 사용되었습니다. 알루미늄은 전기 전도성이 우수하고 가공이 용이하여 널리 사용되었습니다.

 

2. 구리(Cu): 최근에는 구리가 알루미늄을 대체하여 많이 사용되고 있습니다. 구리는 전기 전도성이 더 뛰어나고, 전류 밀도가 높은 회로에 적합합니다.

 

3. 텅스텐(W): 주로 비아(via)나 플러그로 사용되며, 다른 금속과의 접합에 유리합니다.
티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiN): 주로 배리어 메탈로 사용되어, 다른 금속과의 확산을 방지하는 역할을 합니다.

 

참고.